台积电（TSMC）原计划完成3nm制程节点的技术研发和初步试产后，在今年第三季度下旬提升产能，将N3工艺正式带入量产阶段。不过最终由于各种原因，一直在推迟。

据UDN报道，台积电将于12月29日在中国台湾的台南科学园Fab18举行3nm制程节点的量产仪式，期间还会有新工厂扩建的典礼，以消除外界对于其3nm工艺落后于时间表的疑虑。今年台积电的3nm制程节点一直处于谣言的中心，一方面有人批判台积电以新技术为由掩盖研发上的问题，另有部分人则认为现阶段没有足够的订单支持这种价格昂贵的半导体工艺。

台积电一直以来都强调其3nm制程节点是按计划推进的，台积电首席执行官魏哲家在2022年第三季度财报电话会议上表示，尽管库存调整持续，但N3和N3E的客户参与度很高，第一年和第二年的流片数量是N5的两倍以上，目前正在与工作供应商密切合作，以准备更多的产能，应付2023年和2024年及之后的强劲需求。

台积电从2022年到2025年，将陆续推出N3、N3E、N3P、N3X等制程，后续还会有优化后的N3S制程，可涵盖智能手机、物联网、车用芯片、HPC等不同平台的使用需求。台积电在N3制程节点仍使用FinFET（鳍式场效应晶体管），不过可以使用FINFLEX技术，扩展了工艺的性能、功率和密度范围，允许芯片设计人员使用相同的设计工具集为同一芯片上的每个关键功能块选择最佳选项，进一步提升PPA（功率、性能、面积）。